上海，4月20日（记者Yan Weiqi）“一眼一只眼睛，超级闪存工作了10亿次，而原始的USB闪存驱动器只能工作1,000次。这相当于以下事实：成千上万的电子被存储在12厘米的光线下。”最近，周彭（Zhou Peng）和刘·康森（Liu Chunsen）的福丹大学（Fudan University）团队成功地开发了“黎明（Pox）” picsecond（1 picosecond（1 picsecond是第二秒）闪存设备，速度达到了低于1的纳米秒（400 picoseconds），是最快的半束缚半束缚的人。相关结果已发表在《国际杂志自然》中。
从远古时代开始，以信息存储的速度追求人们并没有停止。随着技术的不断发展，该费用已被证明是最好的存储媒介，可以以惊人的速度和出色的可靠性带来大量数据，这为丰富的信息时代奠定了坚实的基础。但是，随着Artif的出现智能，计算范式正在逐渐从传统的逻辑操作转变为数据驱动。现有的层次存储架构很难满足计算芯片的需求，以实现很高的计算强度和能源效率，而存储技术中的突破是立即实现变化的需求。鉴于计算AI（人工智能）所需的计算和能源强度，信息访问的速度直接决定了计算能力的上限，而存储技术一直是实现超低电力消耗的关键。因此，破坏僵局在于解决综合电路领域中最关键的主要科学问题：信息速度限制的不稳定访问限制。
据了解，目前最快的内存是内存的变化，例如静态随机内存（SRAM）和动态随机内存（DRAM）。这种类型的M的速度限制Emory约为3T（即三次晶体管过渡时间，低于1纳秒，1纳秒为十亿秒），这代表了今天访问信息的最大速度。但是，它的数据丢失的特征将其应用限制为低强度方案。相比之下，即使是闪存代表的非挥发性内存，与电力消耗相比，该领域辅助的编程的优势也很低，远小于晶体管传递速度，对于过度的AI计算数据访问，很难满足需求。
根据设备物理机制的不断变化，周彭和刘·春森团队继续促进记忆技术的研发，而没有力量，这并不是很快。该团队已经建立了相关模型来开发“ Pox” Picsecond闪存设备，其性能超出了同一技术节点下最快的Smrage Srame技术，这意味着现有S的界限Torage技术已重新定义。
行业专家已经审查了闪存，这是最有效，最广泛使用的内存，一直是国际技术技术布局的基础。 Fudan University团队开发的高速非挥发性闪存技术的非凡成功不仅希望改变全球存储技术，而且还会促进工业升级并产生新的应用程序场景，而且还将为我的国家提供强大的支持，以实现相关领域的技术领导力。
